MOSFET管是一種通過(guò)電場(chǎng)控制導通狀態(tài)的半導體器件,分為N溝道和P溝道兩種類(lèi)型。其基本結構包括源極、漏極和柵極。通過(guò)在柵極施加電壓,可以控制源極和漏極之間的電流導通或截止。MOSFET管的開(kāi)關(guān)特性使其非常適用于高頻、高效率的開(kāi)關(guān)電路。
◆ DC-AC轉換階段:
在光伏逆變器的DC-AC轉換階段,MOSFET管用于全橋或半橋逆變電路,通過(guò)高頻開(kāi)關(guān)實(shí)現直流到交流的轉換。此階?#25105;?#27714;MOSFET管具有高耐壓和低導通電阻,以提高轉換效率和可靠性。
◆ 功率因數校正(PFC):
MOSFET管在PFC電路中用于提高系統的功率因數和降低諧波失真。高效的PFC電路可以顯著(zhù)改善電能質(zhì)量,使逆變器更加高效和環(huán)保。
◆ 最大功率點(diǎn)追蹤(MPPT):
MPPT控制電路通過(guò)調節M(mǎn)OSFET管的工作狀態(tài),使光伏陣列在不同環(huán)境條件?#29575;?#32066;工作在最大功率點(diǎn)。MOSFET管的快速響應特性對于實(shí)現高效的MPPT控制至關(guān)重要。


MPPT電路DC-DC應用中MOSFET管的開(kāi)關(guān)頻率高達幾百KHz,對MOSFET管的動(dòng)態(tài)參數要求較高,SGT管的低Ciss、Crss,低內阻的特性非常適合高頻應用。DFN5*6 TO-252、TO-220/247封裝為主。
整流電路應用貼片TTF封裝,小尺寸大電流、快恢復特點(diǎn),可顯著(zhù)提升效率,降低EMI,滿(mǎn)足高效率和高功率密度的性能要求
MOSFET管在逆變器應用主要為前級升壓和后級逆變兩部分。前級升壓將電池電壓升至高壓,后級逆變將高壓逆變成交流電。MOSFET管選型封裝一般有TO-252,DFN5*6,TO-220,TO-247等為主。后級逆變常用拓撲結構為全橋逆變,一般選用650~1200V 高壓MOS,封裝TO-220/TO-247插件封裝為主。
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