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MOS管開(kāi)通過(guò)程的米勒效應與應對措施介紹在現在使用的MOS和IGBT等開(kāi)關(guān)電源應用中,所需要面對一個(gè)常見(jiàn)的問(wèn)題 — 米勒效應,本文將主要介紹
NMOS與PMOS的原理和區別,MOS管應用電路設計介紹一簡(jiǎn)介MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管
MOS管是什么,NMOS,PMOS與三極管的區別介紹什么是MOS管MOS管是指場(chǎng)效應晶體管,有G(gate 柵極) D(drain 漏極) S(source 源極)三個(gè)端口,
MOS管的雙電源自動(dòng)切換電路設計介紹實(shí)現雙電源自動(dòng)切換電路,其中利用了三個(gè)MOS管進(jìn)行的電路設計。然而,最近小編看到了另外兩種主副電源自
MOS管散熱片設計如何影響EMC表現介紹MOS管散熱片與EMC的關(guān)系在電子電路設計當中,很多情況下都要考慮EMC的問(wèn)題。在設計中使用MOS管時(shí),在添
電源開(kāi)關(guān)MOS管電路設計解析MOS管因為其導通內阻低,開(kāi)關(guān)速度快,因此被廣泛應用在開(kāi)關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅動(dòng)電路的設計就很關(guān)鍵
兩個(gè)MOS管串聯(lián)接法的應用介紹本文是關(guān)于兩個(gè)MOS 管串聯(lián)組成反向電流阻斷電路的介紹。兩個(gè)MOS管背靠背串聯(lián),組成雙向開(kāi)關(guān)。Figure 1 示例
基于驅動(dòng)IC控制的MOS管開(kāi)關(guān)電路解析如何驅動(dòng)MOS?很多人的第一反應就是從單片機IO口直接輸出5V來(lái)驅動(dòng)MOS的開(kāi)關(guān),這樣可以嗎?當然是可以的
MOS管的米勒電容與CCS電流源模型介紹一、米勒電容MOS管的等效電容如圖所示:在器件的手冊中,會(huì )給出MOS管的寄生參數,其中輸入電容Ciss就是
MOS管為什么容易失效,MOS管有哪些失效1、MOS管為什么很容易失效?①靜電放電(ESD)MOS管的輸入阻抗極高,使得它們對靜電放電非常敏感。ESD
MOS管的三個(gè)二級效應介紹電路分析中不可缺少的MOS管的三個(gè)二級效應。體效應在我們之前的分析中,我們都認為MOS管的襯底和源極相連, 即VBS=
MOS管驅動(dòng)電路原理圖介紹MOS管驅動(dòng)電路引言:MOS管開(kāi)關(guān)電路在分立設計里面應用非常廣泛,包括邏輯控制,電源切換,負載開(kāi)關(guān)等,在一些電路