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解析MOS管基本放大電路是什么mos管放大器是電壓控制器件,具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點(diǎn),被廣泛應用在電子電路中。為了放大模仿信號必需運
MOS管驅動(dòng)電壓是不是越高越好不同型號的MOS管由于結構,制程,工藝的不同,其開(kāi)啟電壓也是不同?#27169;?#22914;下圖所示,有些開(kāi)啟電壓1 5V即可,有些
MOS管為什么各個(gè)端口阻抗有的高有的低MOS管的特點(diǎn)是輸入電阻高、輸出阻抗低、工作可靠、能夠在大電流下工作等。但是,MOS管的各個(gè)端口阻抗
MOS管中的密勒效應解析前面我們詳細的介紹了共射放大電路的設計步驟,對于低頻信號,可以不考慮三極管的頻率特性,但是隨著(zhù)輸入信號頻率的
MOS管的種類(lèi),結構及導通特性解析一般情況下,普遍用于高端驅動(dòng)的MOS,導通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓,而高端驅動(dòng)的MOS管導通時(shí)源極電壓
MOS管體二極管是什么,MOS管體二極管的作用介紹體二極管是MOS管中的一個(gè)重要組成部分,它是襯底B與漏極D之間的PN結。由于把B極和S極短路了,
MOS管G極串聯(lián)小電阻的作用介紹在電源電路中,功率MOS管的G極經(jīng)常會(huì )串聯(lián)一個(gè)小電阻,幾歐姆到幾十歐姆不等,那么這個(gè)電阻用什么作用呢?如上
MOS管導通損耗的計算方法介紹MOS 管計算導通損耗時(shí),應該用平均電流IAVG還是用電流有效IRMS?#30340;兀?#20808;定義下相關(guān)參數,以便于后續的計算.IO
MOS管是如何被靜電擊穿的MOS管一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容?#22336;?#24120;小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應而帶電
MOS管并聯(lián)的問(wèn)題與解決方案介紹一 MOS管并聯(lián)的問(wèn)題以及解決方案對于NMOS而言,我們在G極施加正電壓,會(huì )吸引負電荷從而形成導通?#31995;溃?#24478;MOS
影響MOS管驅動(dòng)電?#33322;?#20302;的解析MOS管(金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管)的驅動(dòng)電?#33322;?#20302;可能會(huì )受到以下因素的影響:負載特性: 如果MOS管連接
電源MOS管的驅動(dòng)電路設計介紹1、對于小功率電源(50W?#35426;(xún)?MOS管的驅動(dòng)電路設計相對簡(jiǎn)單,只需要一個(gè)驅動(dòng)電阻Rg即可對MOS管進(jìn)行驅動(dòng)。此時(shí)的